2EP110RXTMA1 vs 2EP101RXTMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار 2EP110RXTMA1 توسط Infineon و 2EP101RXTMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر 2EP110RXTMA1 2EP101RXTMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی Voltage Regulators Power MOSFET Drivers
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Product Type Full-Bridge Transformer Driver PMIC Full-Bridge Transformer Driver PMIC
توپولوژی Full-bridge (two internal half-bridges) Full-bridge (H-bridge) with external transformer
Input Voltage (VCC) 20 V nominal —
Output Power 5 W —
فرکانس سوئیچینگ 50 kHz / 65 kHz (selectable) —
Target Loads IGBT and SiC MOSFET gate driver supplies —
بسته‌بندی PG-TSSOP-8 PG-TSSOP-8
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
دمای کاری -40C to +125C —
Protection Features Under-voltage lockout (UVLO), over-temperature shutdown (OTP), soft-start —
پیکربندی خروجی Drives external centre-tapped transformer (rectification on secondary) —
سطح MSL MSL 3 (per JEDEC J-STD-020) —
وضعیت RoHS Compliant —
Lead-Free Yes —
بدون هالوژن Yes —
Supply Voltage Range — 5 V to 20 V
Maximum Output Power — 5 W
Switching Frequency Option 1 — 50 kHz
Switching Frequency Option 2 — 65 kHz
Duty Cycle Option 1 — 12%
Duty Cycle Option 2 — 17%
تعداد خروجی‌ها — 1 (full-bridge differential primary)
محدوده دمای کاری — -40 °C to +125 °C
Primary Application — Isolated IGBT and SiC MOSFET gate driver supply
RoHS Compliance — Compliant
Delivery Form — Tape and Reel (XT suffix)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت