AS4C512M16D4B-62BCNTR vs H5AN8G6NAFR-UHC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ AS4C512M16D4B-62BCNTR بواسطة Alliance Memory و H5AN8G6NAFR-UHC بواسطة SK hynix. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | AS4C512M16D4B-62BCNTR | H5AN8G6NAFR-UHC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Alliance Memory | SK hynix |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM (CMOS) |
| حجم الذاكرة | 8 Gbit (512M x 16) | — |
| معدل البيانات | 3200 MT/s | 2400 MT/s |
| Clock Frequency | 1600 MHz | — |
| زمن الوصول CAS | 19 ns | — |
| جهد التغذية | 1.2 V (1.14V to 1.26V) | 1.2 V |
| الواجهة | Parallel | — |
| العلبة | 96-FBGA (7.5x13 mm) | 96-ball FBGA (TFBGA) |
| درجة حرارة التشغيل | 0°C to 95°C | 0C to +85C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| JEDEC Standard | Compliant | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 512M x 16 |
| Revision | Rev.B | — |
| حالة RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Lead-Free | Yes | — |
| Memory Density | — | 8 Gbit |
| Clock Architecture | — | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous |
| Refresh | — | Auto self-refresh |
| Precharge | — | Auto precharge function |
| Reset | — | Asynchronous reset function |
| Data Mask | — | DM function supported |
| Termination | — | Dynamic on-chip termination (ODT) |
| Calibration | — | ZQ calibration function |
| Error Checking | — | CRC function |
| Write Leveling | — | Write leveling function supported |