AS4C512M16D4B-62BCNTR vs H5AN8G6NAFR-UHC So sánh

So sánh chi tiết song song của AS4C512M16D4B-62BCNTR bằng Alliance Memory và H5AN8G6NAFR-UHC bằng SK hynix. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ Hoạt động
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số AS4C512M16D4B-62BCNTR H5AN8G6NAFR-UHC
Thương hiệu Alliance Memory SK hynix
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Kiểu bộ nhớ DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
Kích thước bộ nhớ 8 Gbit (512M x 16) —
Tốc độ dữ liệu 3200 MT/s 2400 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz —
Latency CAS 19 ns —
Điện áp cung cấp 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
Giao diện Parallel —
Hộp 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
Nhiệt độ hoạt động 0°C to 95°C 0C to +85C
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
Tổ chức 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
Trạng thái RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Memory Density — 8 Gbit
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Data Mask — DM function supported
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Write Leveling — Write leveling function supported

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá