AS4C512M16D4B-62BCNTR vs H5AN8G6NAFR-UHC مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار AS4C512M16D4B-62BCNTR توسط Alliance Memory و H5AN8G6NAFR-UHC توسط SK hynix. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

Alliance Memory
AS4C512M16D4B-62BCNTR AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR - 8Gb DDR4 SDRAM 512Mx16 | Alliance Memory

AS4C512M16D4B-62BCNTR ✓ فعال
SK hynix
H5AN8G6NAFR-UHC H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC - 8Gb DDR4 SDRAM 2400MT/s | SK Hynix

H5AN8G6NAFR-UHC ✓ فعال

مقایسه مشخصات

پارامتر AS4C512M16D4B-62BCNTR H5AN8G6NAFR-UHC
برند Alliance Memory SK hynix
دسته‌بندی Memory ICs Memory ICs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
نوع حافظه DDR4 SDRAM DDR4 SDRAM (CMOS)
اندازه حافظه 8 Gbit (512M x 16) —
نرخ داده 3200 MT/s 2400 MT/s
Clock Frequency 1600 MHz —
تأخیر CAS 19 ns —
ولتاژ تغذیه 1.2 V (1.14V to 1.26V) 1.2 V
رابط Parallel —
بسته‌بندی 96-FBGA (7.5x13 mm) 96-ball FBGA (TFBGA)
دمای کاری 0°C to 95°C 0C to +85C
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
JEDEC Standard Compliant —
سازمان 512M x 16 512M x 16
Revision Rev.B —
وضعیت RoHS Compliant [DATA_NEEDED: RoHS status]
Lead-Free Yes —
Memory Density — 8 Gbit
Clock Architecture — Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous
Refresh — Auto self-refresh
Precharge — Auto precharge function
Reset — Asynchronous reset function
Data Mask — DM function supported
Termination — Dynamic on-chip termination (ODT)
Calibration — ZQ calibration function
Error Checking — CRC function
Write Leveling — Write leveling function supported

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت