BC817-40 vs BC817-40-RF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BC817-40 بواسطة Nexperia و BC817-40-RF بواسطة Taiwan Semiconductor. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BC817-40 | BC817-40-RF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Nexperia | Taiwan Semiconductor |
| الفئة | Transistors | Transistors |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الترانزستور | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| العلبة | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins | SOT-23 (TO-236), 3 pins |
| جهد المجمع-الباعث (Vceo) | 45 V | 45 V |
| جهد المجمّع-القاعدة (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| جهد الباعث-القاعدة (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 500 mA | 0.5 A |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 310 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) | — |
| تردد الانتقال (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) | — |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | [DATA_NEEDED: VBE typical] | — |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | -65 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 | 1 (unlimited) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant (per manufacturer product page) |
| Complementary PNP Part | BC807-40 | — |
| DC Current Gain (hFE) Bin | — | 250 to 600 (BC817-40 gain bin) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 310 mW |
| Lead-Free | — | Yes (per Taiwan Semiconductor product page) |
| PNP Complement | — | BC807 series |