BC817-40 vs BC817-40-RF موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BC817-40 بذریعہ Nexperia اور BC817-40-RF بذریعہ Taiwan Semiconductor. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | BC817-40 | BC817-40-RF |
|---|---|---|
| برانڈ | Nexperia | Taiwan Semiconductor |
| زمرہ | Transistors | Transistors |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| ٹرانزسٹر کی قسم | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| پیکیج | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins | SOT-23 (TO-236), 3 pins |
| کلیکٹر-ایمیٹر وولٹیج (Vceo) | 45 V | 45 V |
| کلیکٹر-بیس وولٹیج (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| ایمیٹر-بیس وولٹیج (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 500 mA | 0.5 A |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 310 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) | — |
| ٹرانزیشن فریکوئنسی (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) | — |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | [DATA_NEEDED: VBE typical] | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -65 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL لیول | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS اسٹیٹس | Compliant | Compliant (per manufacturer product page) |
| Complementary PNP Part | BC807-40 | — |
| DC Current Gain (hFE) Bin | — | 250 to 600 (BC817-40 gain bin) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 310 mW |
| Lead-Free | — | Yes (per Taiwan Semiconductor product page) |
| PNP Complement | — | BC807 series |