BC817-40 vs BC817-40-RF तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BC817-40 द्वारा Nexperia और BC817-40-RF द्वारा Taiwan Semiconductor. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF - 45V 0.5A NPN BJT SOT-23 | Taiwan Semiconductor
BC817-40-RF ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | BC817-40 | BC817-40-RF |
|---|---|---|
| ब्रांड | Nexperia | Taiwan Semiconductor |
| श्रेणी | Transistors | Transistors |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) | NPN Bipolar Junction Transistor (BJT) |
| पैकेज | SOT-23 (TO-236AB), 3 pins | SOT-23 (TO-236), 3 pins |
| कलेक्टर-एमिटर वोल्टेज (Vceo) | 45 V | 45 V |
| कलेक्टर-बेस वोल्टेज (Vcbo) | 50 V | 50 V |
| एमिटर-बेस वोल्टेज (Vebo) | 5 V | 5 V |
| Continuous Collector Current (IC) | 500 mA | 0.5 A |
| Peak Collector Current (ICM) | [DATA_NEEDED: ICM value] | [DATA_NEEDED: peak pulsed collector current rating] |
| Total Power Dissipation (Ptot) | 310 mW | — |
| DC Current Gain (hFE) - -40 bin | 250 to 600 (at 100 mA, 1 V) | — |
| ट्रांज़िशन फ्रीक्वेंसी (ft) | 100 MHz | 100 MHz |
| Collector-Emitter Saturation Voltage (VCEsat) | 700 mV max (at 500 mA, 50 mA base) | — |
| Base-Emitter Voltage (VBE) | [DATA_NEEDED: VBE typical] | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -65 C to +150 C | -55 C to +150 C |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 | 1 (unlimited) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant (per manufacturer product page) |
| Complementary PNP Part | BC807-40 | — |
| DC Current Gain (hFE) Bin | — | 250 to 600 (BC817-40 gain bin) |
| Power Dissipation (Pd) | — | 310 mW |
| Lead-Free | — | Yes (per Taiwan Semiconductor product page) |
| PNP Complement | — | BC807 series |