BSC016N06NSATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC016N06NSATMA1 بواسطة Infineon و IPD135N03LGATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC016N06NSATMA1 | IPD135N03LGATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | 30 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.6 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 139 W | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) |
| العلبة | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| مستوى MSL | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | 10 V | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | — |
| Series | — | OptiMOS™ |
| نوع الترانزستور | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 31 W (Tc) |
| العلبة / الحالة | — | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| Lead-Free Finish | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) |