BSC016N06NSATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC016N06NSATMA1 tarafından Infineon ve IPD135N03LGATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSC016N06NSATMA1 IPD135N03LGATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS)
Paket PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL Seviyesi 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS Durumu Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 —
Series — OptiMOS™
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 31 W (Tc)
Paket / Kas — PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Lead-Free Finish — Yes
Qualification — Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin