BSC016N06NSATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना BSC016N06NSATMA1 द्वारा Infineon और IPD135N03LGATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | BSC016N06NSATMA1 | IPD135N03LGATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | MOSFETs | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Series | OptiMOS™ 5 60V | — |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 60 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID, Tc) | 100 A | — |
| Continuous Drain Current (ID, TA) | 30 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V | 1.6 mΩ | — |
| Total Gate Charge (Qg) | 71 nC | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] |
| Power Dissipation (TA) | 2.5 W | — |
| Power Dissipation (TC) | 139 W | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | -55 °C to +150 °C | -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS) |
| पैकेज | PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) | — |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount |
| MSL स्तर | 1 (unlimited) | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| RoHS स्थिति | Compliant | Compliant |
| Gate Drive (recommended) | 10 V | — |
| Technology | OptiMOS™ 5 | — |
| Series | — | OptiMOS™ |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel MOSFET |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 30 A (Tc) |
| Power Dissipation (PD) | — | 31 W (Tc) |
| पैकेज / केस | — | PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount |
| On-State Resistance (RDS(on)) | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS] |
| Gate Charge (Qg) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| Output Charge (Qoss) | — | Ultra-low (per OptiMOS™ family spec) |
| Lead-Free Finish | — | Yes |
| Qualification | — | Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade) |