BSC016N06NSATMA1 vs IPD135N03LGATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از BSC016N06NSATMA1 بذریعہ Infineon اور IPD135N03LGATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IPD135N03LGATMA1 IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 - 30V 30A N-Ch OptiMOS MOSFET | Infineon

IPD135N03LGATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر BSC016N06NSATMA1 IPD135N03LGATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Series OptiMOS™ 5 60V —
Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) 60 V 30 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) 100 A —
Continuous Drain Current (ID, TA) 30 A —
On-Resistance RDS(on) max @ VGS=10V 1.6 mΩ —
Total Gate Charge (Qg) 71 nC —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: VGS(th) typical value] [DATA_NEEDED: gate threshold voltage]
Power Dissipation (TA) 2.5 W —
Power Dissipation (TC) 139 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +150 °C -55°C to +175°C (TJ max typical for OptiMOS)
پیکیج PG-TDSON-8 FL (SuperSO8 5x6) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
MSL لیول 1 (unlimited) 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Gate Drive (recommended) 10 V —
Technology OptiMOS™ 5 —
Series — OptiMOS™
ٹرانزسٹر کی قسم — N-Channel MOSFET
Continuous Drain Current (ID) — 30 A (Tc)
Power Dissipation (PD) — 31 W (Tc)
پیکیج / کیس — PG-TO252-3 (DPAK), Surface Mount
On-State Resistance (RDS(on)) — [DATA_NEEDED: RDS(on) at 10V VGS]
Gate Charge (Qg) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Output Charge (Qoss) — Ultra-low (per OptiMOS™ family spec)
Lead-Free Finish — Yes
Qualification — Industrial (Infineon OptiMOS™ standard grade)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں