BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSC022N04LS6ATMA1 بواسطة Infineon و BSC047N08NS3GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| العلبة | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| درجة حرارة التشغيل | -55 C to +175 C (junction) | — |
| حالة RoHS | Compliant | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |