BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSC022N04LS6ATMA1 bằng Infineon và BSC047N08NS3GATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| Hộp | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Số chân | 8 | — |
| Nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |