BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSC022N04LS6ATMA1 নির্দিষ্ট Infineon ও BSC047N08NS3GATMA1 নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSC022N04LS6ATMA1 BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 - 40V 2.2mOhm OptiMOS 6 N-Ch MOSFET | Infineon

BSC022N04LS6ATMA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
BSC047N08NS3GATMA1 BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 - 80V 100A 4.7mOhm N-Ch MOSFET | Infineon

BSC047N08NS3GATMA1 ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSC022N04LS6ATMA1 BSC047N08NS3GATMA1
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Technology OptiMOS™ 6 (N-channel trench) OptiMOS™ 3 (N-channel trench)
Drain-Source Voltage (VDS) 40 V —
Continuous Drain Current (ID) at Ta 27 A 18 A
Continuous Drain Current (ID) at Tc 100 A 100 A
Maximum Pulsed Drain Current (IDM) 139 A —
On-Resistance RDS(on) max 2.2 mOhm at VGS=10 V 4.7 mOhm at VGS=10 V
Power Dissipation (Ta) 3 W 2.5 W
Power Dissipation (Tc) 79 W —
প্যাকেজ SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6)
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
Channel Type N-Channel —
পিন সংখ্যা 8 —
অপারেটিং তাপমাত্রা -55 C to +175 C (junction) —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant —
Part Number — BSC047N08NS3GATMA1
Drain-Source Voltage (VDS) max — 80 V
Power Dissition (Tc) — 125 W
Gate Threshold Voltage (VGS th) — Normal level (typ 1.7 V)
Avalanche Rated — 100% tested
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর — -55 °C to +175 °C (Tj)
RoHS / Halogen-Free — RoHS compliant, Halogen-free

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট