BSC022N04LS6ATMA1 vs BSC047N08NS3GATMA1 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSC022N04LS6ATMA1 tarafından Infineon ve BSC047N08NS3GATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | BSC022N04LS6ATMA1 | BSC047N08NS3GATMA1 |
|---|---|---|
| Marka | Infineon | Infineon |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Technology | OptiMOS™ 6 (N-channel trench) | OptiMOS™ 3 (N-channel trench) |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 40 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Ta | 27 A | 18 A |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 100 A | 100 A |
| Maximum Pulsed Drain Current (IDM) | 139 A | — |
| On-Resistance RDS(on) max | 2.2 mOhm at VGS=10 V | 4.7 mOhm at VGS=10 V |
| Power Dissipation (Ta) | 3 W | 2.5 W |
| Power Dissipation (Tc) | 79 W | — |
| Paket | SuperSO8 5x6 (PG-TDSON-8-1) | PG-TDSON-8-1 (SuperSO8 5x6) |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Channel Type | N-Channel | — |
| Pin Sayısı | 8 | — |
| İşletim Sıcaklığı | -55 C to +175 C (junction) | — |
| RoHS Durumu | Compliant | — |
| Part Number | — | BSC047N08NS3GATMA1 |
| Drain-Source Voltage (VDS) max | — | 80 V |
| Power Dissition (Tc) | — | 125 W |
| Gate Threshold Voltage (VGS th) | — | Normal level (typ 1.7 V) |
| Avalanche Rated | — | 100% tested |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | — | -55 °C to +175 °C (Tj) |
| RoHS / Halogen-Free | — | RoHS compliant, Halogen-free |