BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSP129H6906XTSA1 بواسطة Infineon و BSP135H6327XTSA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | BSP129H6906XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP129H6906XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 350 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 Ohm (max) | — |
| Operating Mode | Normally-On (Depletion) | Normally ON (depletion) |
| Gate-Source Pinch-Off Voltage | [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] | — |
| العلبة | PG-SOT223-4 (SOT-223) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 functional + 1 tab (4 leads) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | [DATA_NEEDED: TJ max] | -55C to +150C (junction, typical) |
| ESD Protection | Integrated Zener diodes on gate | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| مستوى MSL | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Technology | — | SIPMOS (planar DMOS) |