BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của BSP129H6906XTSA1 bằng Infineon và BSP135H6327XTSA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
So sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSP129H6906XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Part Number | BSP129H6906XTSA1 | BSP135H6327XTSA1 |
| FET Type | N-Channel, Depletion Mode | N-Channel, Depletion Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 240 V | 600 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TA=25C | 350 mA | — |
| Power Dissipation (PD) at TA=25C | 1.8 W | — |
| Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) | 6 Ohm (max) | — |
| Operating Mode | Normally-On (Depletion) | Normally ON (depletion) |
| Gate-Source Pinch-Off Voltage | [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] | — |
| Hộp | PG-SOT223-4 (SOT-223) | PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 3 functional + 1 tab (4 leads) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | [DATA_NEEDED: TJ max] | -55C to +150C (junction, typical) |
| ESD Protection | Integrated Zener diodes on gate | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Cấp MSL | 1 (unlimited floor life) | 1 |
| Continuous Drain Current (ID) | — | 120 mA |
| Power Dissipation (PD) | — | 1.8 W |
| On-Resistance RDS(on) max | — | 45 ohm at VGS = 0 V |
| On-Resistance RDS(on) | — | 25 ohm (typical, per digchip) |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: VGS max rating] |
| Technology | — | SIPMOS (planar DMOS) |