BSP129H6906XTSA1 vs BSP135H6327XTSA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSP129H6906XTSA1 tarafından Infineon ve BSP135H6327XTSA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Infineon
BSP129H6906XTSA1 BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 - 240V N-Ch Depletion MOSFET | Infineon

BSP129H6906XTSA1 ✓ Aktif

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number BSP129H6906XTSA1 BSP135H6327XTSA1
FET Type N-Channel, Depletion Mode N-Channel, Depletion Mode
Drain-Source Voltage (VDS) 240 V 600 V
Continuous Drain Current (ID) at TA=25C 350 mA —
Power Dissipation (PD) at TA=25C 1.8 W —
Drain-Source On-Resistance (RDS(on)) 6 Ohm (max) —
Operating Mode Normally-On (Depletion) Normally ON (depletion)
Gate-Source Pinch-Off Voltage [DATA_NEEDED: VGS(off) typical value] —
Paket PG-SOT223-4 (SOT-223) PG-SOT223-4 (SOT-223-3 plus tab)
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 functional + 1 tab (4 leads) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı [DATA_NEEDED: TJ max] -55C to +150C (junction, typical)
ESD Protection Integrated Zener diodes on gate —
RoHS Durumu Compliant Compliant
MSL Seviyesi 1 (unlimited floor life) 1
Continuous Drain Current (ID) — 120 mA
Power Dissipation (PD) — 1.8 W
On-Resistance RDS(on) max — 45 ohm at VGS = 0 V
On-Resistance RDS(on) — 25 ohm (typical, per digchip)
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: VGS max rating]
Technology — SIPMOS (planar DMOS)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin