BSS308PEH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ BSS308PEH6327XTSA1 بواسطة Infineon و IRLML6346TRPBF بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | BSS308PEH6327XTSA1 | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| نوع الترانزستور | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | 3.4 A (TA=25C) |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55 °C to +150 °C | — |
| العلبة / الحالة | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| عدد الدبابيس | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55C to +150C |
| العلبة | — | Micro3 / SOT-23 |
| Technology | — | HEXFET Power MOSFET |
| مستوى MSL | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |