BSS308PEH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF তুলনা

. বিস্তৃত সাথে-সাথে তুলনা BSS308PEH6327XTSA1 নির্দিষ্ট Infineon ও IRLML6346TRPBF নির্দিষ্ট Infineon. প্রধান বিশেষত্ব, বৈদ্যুতিক প্রাকৃতিক, প্যাকেজিং, জীবনচক্র অবস্থা, মূল্যাঙ্কন, ও পরিসীমা কোন অপশনটির কেন্দ্রীয় নির্ধারণ করুন

Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23

BSS308PEH6327XTSA1 ✓ সক্রিয়
Infineon
IRLML6346TRPBF IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF - 30V 3.4A N-Ch HEXFET MOSFET | Infineon

IRLML6346TRPBF ✓ সক্রিয়

বিশিষ্টতা তুলনা

পারামিটার BSS308PEH6327XTSA1 IRLML6346TRPBF
ব্র্যান্ড Infineon Infineon
ক্যাটাগরি MOSFETs MOSFETs
লাইফসাইকেল স্ট্যাটাস সক্রিয় সক্রিয়
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
ট্রানজিস্টর টাইপ P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 3.4 A (TA=25C)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
অপারেটিং তাপমাত্রার পরিসর -55 °C to +150 °C —
প্যাকেজ / কেস PG-SOT23 (SOT-23-3) —
মাউন্টিং টাইপ Surface Mount Surface Mount
পিনের সংখ্যা 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS স্ট্যাটাস Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Polarity — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
অপারেটিং জাংশন তাপমাত্রা — -55C to +150C
প্যাকেজ — Micro3 / SOT-23
Technology — HEXFET Power MOSFET
MSL লেভেল — 1
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

ডেটাসফেইট ও সম্বল

সমস্ত পণ্যগুলি ব্রাউজ করুন BOM তৈরি করুন রিকোয়েস্ট কোয়ুট