BSS308PEH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF So sánh
So sánh chi tiết song song của BSS308PEH6327XTSA1 bằng Infineon và IRLML6346TRPBF bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
BSS308PEH6327XTSA1 - P-Ch -30V -2A OptiMOS MOSFET | Infineon | SOT-23
BSS308PEH6327XTSA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | BSS308PEH6327XTSA1 | IRLML6346TRPBF |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Family | OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) | — |
| Kiểu transitor | P-Channel Enhancement Mode MOSFET | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) | -30 V | 30 V |
| Continuous Drain Current (ID) | -2 A (Ta) | 3.4 A (TA=25C) |
| RDS(on) Max | 80 mΩ at VGS = -10 V | — |
| Gate-Source Voltage (VGS) Max | +/-20 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 500 mW (Ta) | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 °C to +150 °C | — |
| Hộp / Vỏ | PG-SOT23 (SOT-23-3) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Số lượng chân | 3 | — |
| Qualification | AEC-Q101 Automotive | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | Compliant |
| Packaging | Tape & Reel (T/R) | — |
| Standard Reel Quantity | 3000 pcs | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] | [DATA_NEEDED: VGS(th) value] |
| Polarity | — | N-Channel |
| Pulsed Drain Current (IDM) | — | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| RDS(on) max @ VGS=2.5V | — | 63 mOhm |
| RDS(on) max @ VGS=4.5V | — | [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V] |
| Gate Drive Capability | — | 2.5V logic-level |
| Maximum Power Dissipation (PD) | — | 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4) |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +150C |
| Hộp | — | Micro3 / SOT-23 |
| Technology | — | HEXFET Power MOSFET |
| Cấp MSL | — | 1 |
| Lead-Free Finish | — | Yes (PBF suffix) |