BSS308PEH6327XTSA1 vs IRLML6346TRPBF Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma BSS308PEH6327XTSA1 tarafından Infineon ve IRLML6346TRPBF tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre BSS308PEH6327XTSA1 IRLML6346TRPBF
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Family OptiMOS P (small signal / small power MOSFET) —
Transistor Türü P-Channel Enhancement Mode MOSFET —
Drain-Source Voltage (VDS) -30 V 30 V
Continuous Drain Current (ID) -2 A (Ta) 3.4 A (TA=25C)
RDS(on) Max 80 mΩ at VGS = -10 V —
Gate-Source Voltage (VGS) Max +/-20 V —
Power Dissipation (PD) 500 mW (Ta) —
İşletim Sıcaklığı Aralığı -55 °C to +150 °C —
Paket / Kas PG-SOT23 (SOT-23-3) —
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
Pin Sayısı 3 —
Qualification AEC-Q101 Automotive —
RoHS Durumu Compliant Compliant
Packaging Tape & Reel (T/R) —
Standard Reel Quantity 3000 pcs —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) [DATA_NEEDED: gate threshold voltage] [DATA_NEEDED: VGS(th) value]
Polarity — N-Channel
Pulsed Drain Current (IDM) — [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
RDS(on) max @ VGS=2.5V — 63 mOhm
RDS(on) max @ VGS=4.5V — [DATA_NEEDED: RDS(on) at VGS=4.5V]
Gate Drive Capability — 2.5V logic-level
Maximum Power Dissipation (PD) — 1.3 W (TA=25C, 1in2 FR4)
İşletim Jant Sıcaklığı — -55C to +150C
Paket — Micro3 / SOT-23
Technology — HEXFET Power MOSFET
MSL Seviyesi — 1
Lead-Free Finish — Yes (PBF suffix)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin