CSD13302W vs CSD15571Q2 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ CSD13302W بواسطة Texas Instruments و CSD15571Q2 بواسطة Texas Instruments. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | CSD13302W | CSD15571Q2 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Texas Instruments | Texas Instruments |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Technology | NexFET | NexFET |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 12 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.6 A (Ta=25°C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V | — |
| Gate Charge (Qg) | 4.1 nC at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: Gate Charge] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | 0.9 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage | ±8 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta=25°C) | — |
| العلبة | 4-DSBGA (1x1) | WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Height | 0.4 mm | — |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55°C to +150°C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 22 A (Ta=25°C) |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | 19.2 mΩ |
| Power Dissipation (Pd) | — | 2.5 W (Ta=25°C) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.1 V (typical) |
| Number of Channels | — | 1 |
| Maximum Power Dissipation | — | 2.5 W |