CSD13302W vs CSD15571Q2 Karşılaştırma
Ayrıntılı yan yana karşılaştırma CSD13302W tarafından Texas Instruments ve CSD15571Q2 tarafından Texas InstrumentsAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.
Özellik Karşılaştırması
| Parametre | CSD13302W | CSD15571Q2 |
|---|---|---|
| Marka | Texas Instruments | Texas Instruments |
| Kategori | MOSFETs | MOSFETs |
| Yaşam Döngüsü Durumu | Aktif | Aktif |
| Technology | NexFET | NexFET |
| Polarity | N-Channel | N-Channel |
| Drain-Source Voltage (VDS) | 12 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) | 1.6 A (Ta=25°C) | — |
| On-Resistance (RDS(on)) | 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V | — |
| Gate Charge (Qg) | 4.1 nC at VGS=4.5V | [DATA_NEEDED: Gate Charge] |
| Threshold Voltage (VGS(th)) | 0.9 V | — |
| Maximum Gate-Source Voltage | ±8 V | — |
| Power Dissipation (PD) | 1.8 W (Ta=25°C) | — |
| Paket | 4-DSBGA (1x1) | WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm |
| Montaj Türü | Surface Mount | Surface Mount |
| Height | 0.4 mm | — |
| RoHS Durumu | Compliant | Compliant |
| Lead-Free | Yes | Yes |
| İşletim Sıcaklığı Aralığı | -55°C to +150°C | [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range] |
| Drain-Source Voltage (Vds) | — | 20 V |
| Continuous Drain Current (Id) | — | 22 A (Ta=25°C) |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | 19.2 mΩ |
| Power Dissipation (Pd) | — | 2.5 W (Ta=25°C) |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | 1.1 V (typical) |
| Number of Channels | — | 1 |
| Maximum Power Dissipation | — | 2.5 W |