CSD13302W vs CSD15571Q2 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של CSD13302W מאת Texas Instruments ו CSD15571Q2 מאת Texas Instruments. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Texas Instruments
CSD13302W CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W - 12V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD13302W ✓ פעיל
Texas Instruments
CSD15571Q2 CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 - 20V N-Channel NexFET MOSFET | Texas Instruments

CSD15571Q2 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר CSD13302W CSD15571Q2
מותג Texas Instruments Texas Instruments
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Technology NexFET NexFET
Polarity N-Channel N-Channel
Drain-Source Voltage (VDS) 12 V —
Continuous Drain Current (ID) 1.6 A (Ta=25°C) —
On-Resistance (RDS(on)) 14.6 mΩ (typ) at VGS=4.5V —
Gate Charge (Qg) 4.1 nC at VGS=4.5V [DATA_NEEDED: Gate Charge]
Threshold Voltage (VGS(th)) 0.9 V —
Maximum Gate-Source Voltage ±8 V —
Power Dissipation (PD) 1.8 W (Ta=25°C) —
מארז 4-DSBGA (1x1) WSON (DQK) 6-pin, 2 mm x 2 mm
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Height 0.4 mm —
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Lead-Free Yes Yes
טווח טמפרטורת פעולה -55°C to +150°C [DATA_NEEDED: Operating Temperature Range]
Drain-Source Voltage (Vds) — 20 V
Continuous Drain Current (Id) — 22 A (Ta=25°C)
On-Resistance (Rds(on)) — 19.2 mΩ
Power Dissipation (Pd) — 2.5 W (Ta=25°C)
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — 1.1 V (typical)
Number of Channels — 1
Maximum Power Dissipation — 2.5 W

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר