EP3SE260H780C2N vs EP3SE260H780C3 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ EP3SE260H780C2N بواسطة Intel و EP3SE260H780C3 بواسطة Intel. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Intel
EP3SE260H780C2N EP3SE260H780C2N - Stratix III E FPGA 255K LE, 780-BGA | Intel

EP3SE260H780C2N - Stratix III E FPGA 255K LE, 780-BGA | Intel

EP3SE260H780C2N ⚠ آخر فرصة للشراء

مقارنة المواصفات

المعامل EP3SE260H780C2N EP3SE260H780C3
العلامة التجارية Intel Intel
الفئة FPGA & CPLD FPGA & CPLD
حالة دورة الحياة آخر فرصة للشراء نشط
Series Stratix III E EP3SE
Logic Elements 255,000 255,000
LABs / CLBs 10,200 —
Total RAM Bits 16,672,768 —
User I/O Count 488 —
Number of Transceivers [DATA_NEEDED: transceiver count] —
Core Voltage 0.9 V —
العلبة 780-BGA FCBGA 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (BGA)
نطاق درجة حرارة التشغيل Commercial (0C to +85C) —
Speed Grade C2 C3
مستوى MSL 3 (168 hours) —
Reflow Peak Time Max 40 s —
حالة RoHS [DATA_NEEDED: rohs status] Compliant (per product listings)
Lead-Free [DATA_NEEDED: lead-free] —
Package Code BGA —
Terminal Form Ball —
Number of Terminals 780 —
Process Node 40 nm —
Device Family — Stratix III Enhanced (Stratix III E)
Logic Array Blocks (LABs) — 10200
Embedded Memory — 16,672,768 bits (16.67 Mbit)
User I/Os — 488
Operating Voltage (Core) — 0.9 V
Operating Voltage (Auxiliary) — 1.1 V
Process Technology — 65 nm CMOS
درجة حرارة التشغيل — Commercial, 0C to +85C
Maximum Core Frequency — 500 MHz
مستوى حساسية الرطوبة (MSL) — 3 (168 hours)
Packaging Type — Tray
Configuration Memory Support — Fast passive parallel, JTAG, Active Serial

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر