EP3SE260H780C2N vs EP3SE260H780C3 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना EP3SE260H780C2N द्वारा Intel और EP3SE260H780C3 द्वारा Intel. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | EP3SE260H780C2N | EP3SE260H780C3 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Intel | Intel |
| श्रेणी | FPGA & CPLD | FPGA & CPLD |
| लाइफसाइकिल स्थिति | अंतिम बार खरीदें | सक्रिय |
| Series | Stratix III E | EP3SE |
| Logic Elements | 255,000 | 255,000 |
| LABs / CLBs | 10,200 | — |
| Total RAM Bits | 16,672,768 | — |
| User I/O Count | 488 | — |
| Number of Transceivers | [DATA_NEEDED: transceiver count] | — |
| Core Voltage | 0.9 V | — |
| पैकेज | 780-BGA FCBGA | 780-ball FCBGA (HBGA), flip-chip |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount | Surface Mount (BGA) |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | Commercial (0C to +85C) | — |
| Speed Grade | C2 | C3 |
| MSL स्तर | 3 (168 hours) | — |
| Reflow Peak Time Max | 40 s | — |
| RoHS स्थिति | [DATA_NEEDED: rohs status] | Compliant (per product listings) |
| Lead-Free | [DATA_NEEDED: lead-free] | — |
| Package Code | BGA | — |
| Terminal Form | Ball | — |
| Number of Terminals | 780 | — |
| Process Node | 40 nm | — |
| Device Family | — | Stratix III Enhanced (Stratix III E) |
| Logic Array Blocks (LABs) | — | 10200 |
| Embedded Memory | — | 16,672,768 bits (16.67 Mbit) |
| User I/Os | — | 488 |
| Operating Voltage (Core) | — | 0.9 V |
| Operating Voltage (Auxiliary) | — | 1.1 V |
| Process Technology | — | 65 nm CMOS |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | Commercial, 0C to +85C |
| Maximum Core Frequency | — | 500 MHz |
| नमी संवेदनशीलता स्तर (MSL) | — | 3 (168 hours) |
| Packaging Type | — | Tray |
| Configuration Memory Support | — | Fast passive parallel, JTAG, Active Serial |