H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5AN8G6NAFR-UHC بواسطة SK hynix و K4A8G085WC بواسطة Samsung Electronics. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ نشطمقارنة المواصفات
| المعامل | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | SK hynix | Samsung Electronics |
| الفئة | Memory ICs | Memory ICs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| نوع الذاكرة | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| التنظيم | 512M x 16 | 1G x 8 |
| جهد التغذية | 1.2 V | 1.2 V |
| معدل البيانات | 2400 MT/s | — |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| العلبة | 96-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| درجة حرارة التشغيل | 0C to +85C | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| حالة RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gbit |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |