H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC So sánh
So sánh chi tiết song song của H5AN8G6NAFR-UHC bằng SK hynix và K4A8G085WC bằng Samsung Electronics. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| Thương hiệu | SK hynix | Samsung Electronics |
| Danh mục | Memory ICs | Memory ICs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Kiểu bộ nhớ | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| Tổ chức | 512M x 16 | 1G x 8 |
| Điện áp cung cấp | 1.2 V | 1.2 V |
| Tốc độ dữ liệu | 2400 MT/s | — |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| Hộp | 96-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Nhiệt độ hoạt động | 0C to +85C | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| Trạng thái RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gbit |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |