H5AN8G6NAFR-UHC vs K4A8G085WC موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از H5AN8G6NAFR-UHC بذریعہ SK hynix اور K4A8G085WC بذریعہ Samsung Electronics. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
Samsung Electronics
K4A8G085WC - 8Gb DDR4 SDRAM 1Gx8 2666Mbps | Samsung Electronics
K4A8G085WC ✓ فعالخصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | H5AN8G6NAFR-UHC | K4A8G085WC |
|---|---|---|
| برانڈ | SK hynix | Samsung Electronics |
| زمرہ | Memory ICs | Memory ICs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| میموری ٹائپ | DDR4 SDRAM (CMOS) | DDR4 SDRAM |
| Memory Density | 8 Gbit | — |
| تنظیم | 512M x 16 | 1G x 8 |
| سپلائی وولٹیج | 1.2 V | 1.2 V |
| ڈیٹا ریٹ | 2400 MT/s | — |
| Clock Architecture | Differential clock (CK_t / CK_c), fully synchronous | — |
| پیکیج | 96-ball FBGA (TFBGA) | 78-ball FBGA (78FBGA) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount | Surface Mount |
| آپریٹنگ درجہ حرارت | 0C to +85C | — |
| Refresh | Auto self-refresh | — |
| Precharge | Auto precharge function | — |
| Reset | Asynchronous reset function | — |
| Data Mask | DM function supported | — |
| Termination | Dynamic on-chip termination (ODT) | — |
| Calibration | ZQ calibration function | — |
| Error Checking | CRC function | — |
| Write Leveling | Write leveling function supported | — |
| RoHS اسٹیٹس | [DATA_NEEDED: RoHS status] | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Density | — | 8 Gbit |
| Speed | — | 2666 Mbps/pin (DDR4-2666) |
| Supply Voltage Range | — | 1.14 V to 1.26 V |
| Clock Frequency | — | 1333 MHz (1333.333 GHz nominal, per web data) |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BITD) | — | -40 C to +95 C |
| Operating Temperature (K4A8G085WC-BCTD) | — | 0 C to +95 C |
| Auto Precharge | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Dynamic On-Chip Termination (ODT) | — | Yes |
| Data Mask (DM) | — | Yes |