H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ H5TC4G63AFR-PBA بواسطة SK hynix و IS43TR16256AL-107MBLI بواسطة ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ نشط
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل H5TC4G63AFR-PBA IS43TR16256AL-107MBLI
العلامة التجارية SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
الفئة Memory ICs Memory ICs
حالة دورة الحياة نشط نشط
سعر الوحدة (USD) $3.98 —
نوع الذاكرة DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
التنظيم 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
معدل البيانات 1866 Mbps (PC3L-14900) 1866 Mbps
العلبة 96-ball FBGA —
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 and 4
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
نطاق درجة حرارة التشغيل 0°C to +95°C (Tcase) —
الواجهة 16-bit I/O —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
حجم الذاكرة — 4 Gbit
Clock Speed — 933 MHz
Access Time — 20 ns
جهد التغذية — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
العلبة / الحالة — 96-TWBGA (9x13mm)
نوع التركيب — Surface Mount
درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die Termination — Yes
حالة RoHS — Compliant
Memory Interface — Parallel

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر