H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI השוואה
השוואה מפורטת זה לצד זה של H5TC4G63AFR-PBA מאת SK hynix ו IS43TR16256AL-107MBLI מאת ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ פעילהשוואת מפרטים
| פרמטר | H5TC4G63AFR-PBA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| מותג | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| קטגוריה | Memory ICs | Memory ICs |
| סטטוס מחזור חיים | פעיל | פעיל |
| מחיר ליחידה (USD) | $3.98 | — |
| סוג זיכרון | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| ארגון | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| קצב נתונים | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| מארז | 96-ball FBGA | — |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| טווח טמפרטורת פעולה | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| ממשק | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| גודל זיכרון | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| מתח אספקה | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| מארז / Case | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| סוג הרכבה | — | Surface Mount |
| טמפרטורת פעולה | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| סטטוס RoHS | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |