H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI So sánh

So sánh chi tiết song song của H5TC4G63AFR-PBA bằng SK hynix và IS43TR16256AL-107MBLI bằng ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

SK hynix
H5TC4G63AFR-PBA H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | SK hynix

H5TC4G63AFR-PBA ✓ Hoạt động
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI

IS43TR16256AL-107MBLI ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số H5TC4G63AFR-PBA IS43TR16256AL-107MBLI
Thương hiệu SK hynix ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
Danh mục Memory ICs Memory ICs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Giá đơn vị (USD) $3,98 —
Kiểu bộ nhớ DDR3L SDRAM DDR3L SDRAM
Density 4Gb —
Tổ chức 256M x 16 256M x 16
Supply Voltage (VDD/VDDQ) 1.35V —
Tốc độ dữ liệu 1866 Mbps (PC3L-14900) 1866 Mbps
Hộp 96-ball FBGA —
Ball Pitch 0.8mm —
Number of Banks 8 8
Burst Length 8 and 4 (with burst chop) 8 and 4
CAS Latency (CL) 11, 12, 13 —
Khoảng nhiệt độ hoạt động 0°C to +95°C (Tcase) —
Giao diện 16-bit I/O —
On-Die Termination (ODT) Yes —
ZQ Calibration Yes —
Write Leveling Yes —
Auto Self-Refresh Yes —
Partial Array Self-Refresh Yes —
RoHS Compliant —
Kích thước bộ nhớ — 4 Gbit
Clock Speed — 933 MHz
Access Time — 20 ns
Điện áp cung cấp — 1.35V (backward compatible to 1.5V)
Hộp / Vỏ — 96-TWBGA (9x13mm)
Kiểu lắp đặt — Surface Mount
Nhiệt độ hoạt động — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
On-Die Termination — Yes
Trạng thái RoHS — Compliant
Memory Interface — Parallel

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá