H5TC4G63AFR-PBA vs IS43TR16256AL-107MBLI तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना H5TC4G63AFR-PBA द्वारा SK hynix और IS43TR16256AL-107MBLI द्वारा ISSI, Integrated Silicon Solution Inc. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
ISSI, Integrated Silicon Solution Inc
IS43TR16256AL-107MBLI - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 | ISSI
IS43TR16256AL-107MBLI ✓ सक्रियविशेषता तुलना
| पैरामीटर | H5TC4G63AFR-PBA | IS43TR16256AL-107MBLI |
|---|---|---|
| ब्रांड | SK hynix | ISSI, Integrated Silicon Solution Inc |
| श्रेणी | Memory ICs | Memory ICs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| यूनिट मूल्य (USD) | $3.98 | — |
| मेमोरी प्रकार | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4Gb | — |
| संगठन | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V | — |
| डेटा दर | 1866 Mbps (PC3L-14900) | 1866 Mbps |
| पैकेज | 96-ball FBGA | — |
| Ball Pitch | 0.8mm | — |
| Number of Banks | 8 | 8 |
| Burst Length | 8 and 4 (with burst chop) | 8 and 4 |
| CAS Latency (CL) | 11, 12, 13 | — |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | 0°C to +95°C (Tcase) | — |
| इंटरफ़ेस | 16-bit I/O | — |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Partial Array Self-Refresh | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| मेमोरी आकार | — | 4 Gbit |
| Clock Speed | — | 933 MHz |
| Access Time | — | 20 ns |
| सप्लाई वोल्टेज | — | 1.35V (backward compatible to 1.5V) |
| पैकेज / केस | — | 96-TWBGA (9x13mm) |
| माउंटिंग प्रकार | — | Surface Mount |
| ऑपरेटिंग तापमान | — | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Memory Interface | — | Parallel |