IAUC41N06S5L vs IAUC41N06S5N102ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUC41N06S5L بواسطة Infineon و IAUC41N06S5N102ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IAUC41N06S5L IAUC41N06S5N102ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUC41N06S5L —
Technology OptiMOS-5 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: I_D max value] —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 10 mΩ typical —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) Logic-level (around 1.7 V typical) —
Maximum Operating Junction Temperature 175 °C —
العلبة TDSON-8 (PG-TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Channel Type N-channel, Enhancement mode —
حالة RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Lead-Free Yes —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating] —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
نوع الترانزستور — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
نطاق درجة حرارة التشغيل — -55C to +175C (junction)
Channel Polarity — N-Channel (single)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر