IAUC41N06S5L vs IAUC41N06S5N102ATMA1 Karşılaştırma

Ayrıntılı yan yana karşılaştırma IAUC41N06S5L tarafından Infineon ve IAUC41N06S5N102ATMA1 tarafından InfineonAnahtar özellikleri, elektriksel parametreleri, ambalajı, yaşam döngüsü durumu, fiyatlandırma ve mevcudiyeti karşılaştırarak tasarım gereksinimleriniz için en iyi bileşeni belirleyin.

Özellik Karşılaştırması

Parametre IAUC41N06S5L IAUC41N06S5N102ATMA1
Marka Infineon Infineon
Kategori MOSFETs MOSFETs
Yaşam Döngüsü Durumu Aktif Aktif
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUC41N06S5L —
Technology OptiMOS-5 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: I_D max value] —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 10 mΩ typical —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) Logic-level (around 1.7 V typical) —
Maximum Operating Junction Temperature 175 °C —
Paket TDSON-8 (PG-TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
Montaj Türü Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Channel Type N-channel, Enhancement mode —
RoHS Durumu Compliant (Green Product) Compliant
Lead-Free Yes —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating] —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Transistor Türü — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
İşletim Sıcaklığı Aralığı — -55C to +175C (junction)
Channel Polarity — N-Channel (single)

Dökümanlar & Kaynaklar

Tüm Ürünleri Gözden Geçir BOM Oluştur Teklif İsteyin