IAUC41N06S5L vs IAUC41N06S5N102ATMA1 So sánh

So sánh chi tiết song song của IAUC41N06S5L bằng Infineon và IAUC41N06S5N102ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.

Infineon
IAUC41N06S5L IAUC41N06S5L - 60V 10mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L - 60V 10mΩ OptiMOS-5 N-Channel MOSFET | Infineon

IAUC41N06S5L ✓ Hoạt động
Infineon
IAUC41N06S5N102ATMA1 IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IAUC41N06S5N102ATMA1 - 60V 47A 10.2mΩ OptiMOS 5 N-FET | Infineon

IAUC41N06S5N102ATMA1 ✓ Hoạt động

So sánh thông số kỹ thuật

Tham số IAUC41N06S5L IAUC41N06S5N102ATMA1
Thương hiệu Infineon Infineon
Danh mục MOSFETs MOSFETs
Trạng thái vòng đời Hoạt động Hoạt động
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUC41N06S5L —
Technology OptiMOS-5 trench MOSFET —
Drain-Source Voltage (V<sub>DS</sub>) 60 V —
Continuous Drain Current (I<sub>D</sub>) [DATA_NEEDED: I_D max value] —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=10 V 10 mΩ typical —
R<sub>DS(on)</sub> at V<sub>GS</sub>=4.5 V [DATA_NEEDED: RDS(on) at 4.5 V] —
Gate Threshold Voltage (V<sub>GS(th)</sub>) Logic-level (around 1.7 V typical) —
Maximum Operating Junction Temperature 175 °C —
Hộp TDSON-8 (PG-TDSON-8) PG-TDSON-8-33 (SSO8) Surface Mount
Kiểu lắp đặt Surface Mount Surface Mount
MSL (Moisture Sensitivity Level) MSL1 (up to 260 °C peak reflow) —
Automotive Qualification AEC-Q101 AEC-Q101 (per Infineon automotive MOSFET family)
Channel Type N-channel, Enhancement mode —
Trạng thái RoHS Compliant (Green Product) Compliant
Lead-Free Yes —
Gate-Source Voltage (V<sub>GS</sub>) max [DATA_NEEDED: V_GS max absolute rating] —
Part Family — OptiMOS 5 Power-Transistor
Kiểu transitor — N-Channel MOSFET
Drain-Source Voltage (VDS) — 60 V
Continuous Drain Current (ID, Tc) — 47 A (Tj)
Power Dissipation (PD, Tc=25C) — 42 W
On-Resistance (RDS(on)) — 10.2 mΩ at VGS=10 V, ID=20 A
Gate-Source Threshold (VGS(th)) — 3.4 V (typical)
Total Gate Charge (QG) — 12.5 nC
Khoảng nhiệt độ hoạt động — -55C to +175C (junction)
Channel Polarity — N-Channel (single)

Hồ sơ kỹ thuật & Tài nguyên

Xem tất cả sản phẩm Tạo BOM Yêu cầu báo giá