IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN04S7L009ATMA1 بواسطة Infineon و IAUCN04S7N037GATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
نوع الترانزستور N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
العلبة PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
مستوى MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
حالة RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر