IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IAUCN04S7L009ATMA1 מאת Infineon ו IAUCN04S7N037GATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ פעיל

השוואת מפרטים

פרמטר IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
סוג טרנזיסטור N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
מארז PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
טווח טמפרטורת פעולה -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
רמת MSL 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
סטטוס RoHS Compliant Compliant
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר