IAUCN04S7L009ATMA1 vs IAUCN04S7N037GATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN04S7L009ATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUCN04S7N037GATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN04S7N037GATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 - 40V 91A OptiMOS 7 N-Ch MOSFET | Infineon

IAUCN04S7N037GATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN04S7L009ATMA1 IAUCN04S7N037GATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Number IAUCN04S7L009ATMA1 —
ٹرانزسٹر کی قسم N-Channel MOSFET —
Technology OptiMOS™ 7 (trench-gate) Trench MOSFET, N-Channel
Drain-Source Voltage (Vdss) 40 V —
Continuous Drain Current (Id, Tc=25°C) 275 A (Tj) —
Continuous Drain Current (Id, Tc=100°C) 175 A —
Power Dissipation (Pd, Tc=25°C) 129 W —
Rds(on) Max @ Vgs=10V 0.91 mΩ —
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) [DATA_NEEDED: Vgs(th) typical value] —
Gate Charge (Qg) [DATA_NEEDED: total gate charge] —
پیکیج PG-TDSON-8-34 (TDSON EP) SSO4G 5x6 mm² (PG-THSOG-4-1)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount (IMS substrate attach compatible)
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 °C to +175 °C (Tj) [DATA_NEEDED: junction/ambient temperature limits]
Automotive Qualification AEC-Q101 qualified AEC-Q101
MSL لیول 1 [DATA_NEEDED: MSL level]
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Series — OptiMOS 7
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at Tj — 91 A
On-State Resistance RDS(on) typical — 3.65 mΩ at VGS = 10 V
Power Dissipation (PD) at Tc — 57 W
Channel Type — N-Channel
Operating Mode — Enhancement
Gate Charge (Qg) typical — [DATA_NEEDED: total gate charge]
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — [DATA_NEEDED: VGS(th) typical/range]
Input Capacitance (Ciss) — [DATA_NEEDED: Ciss]

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں