IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 مقارنة
مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IAUCN10S5L280DATMA1 بواسطة Infineon و IAUC60N04S6L030HATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.
مقارنة المواصفات
| المعامل | IAUCN10S5L280DATMA1 | IAUC60N04S6L030HATMA1 |
|---|---|---|
| العلامة التجارية | Infineon | Infineon |
| الفئة | MOSFETs | MOSFETs |
| حالة دورة الحياة | نشط | نشط |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | OptiMOS 5 | — |
| Configuration | Dual N-Channel MOSFET Array | Half-Bridge (2 N-Channel) |
| Drain-Source Voltage (Vds) | 100 V | — |
| Continuous Drain Current (Id) at Tj | 23 A | — |
| Power Dissipation (Pd) at Tc | 38 W | — |
| العلبة | PG-TDSON-8-61 (SSO8) | PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm) |
| نوع التركيب | Surface Mount | Surface Mount |
| Automotive Qualified | Yes (AEC-Q101, IAU prefix) | — |
| Technology | OptiMOS 5 Trench MOSFET | — |
| نطاق درجة حرارة التشغيل | -55C to +175C (junction) | — |
| عدد الأطراف | 8 | — |
| مستوى MSL | 1 | 1 (per JEDEC J-STD-020) |
| حالة RoHS | Compliant | Compliant |
| Packing | Tape & Reel (T&R) | — |
| Part Series | — | OptiMOS 6 |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TJ | — | 60 A |
| On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V | — | 3.0 mOhm (typical) |
| Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V | — | 35 nC |
| Output Capacitance (Coss) | — | 2.128 nF |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss) | — | 596 pF |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | — | 2 V |
| Maximum Power Dissipation (PD) at TC | — | 75 W |
| درجة حرارة الوصلة التشغيلية | — | -55 C to +175 C |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 (per part number suffix) |