IAUCN10S5L280DATMA1 vs IAUC60N04S6L030HATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IAUCN10S5L280DATMA1 بذریعہ Infineon اور IAUC60N04S6L030HATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

Infineon
IAUCN10S5L280DATMA1 IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 - 100V Dual N-Ch OptiMOS 5 MOSFET | Infineon

IAUCN10S5L280DATMA1 ✓ فعال
Infineon
IAUC60N04S6L030HATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 - 40V 60A OptiMOS Half-Bridge | Infineon

IAUC60N04S6L030HATMA1 ✓ فعال

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IAUCN10S5L280DATMA1 IAUC60N04S6L030HATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family OptiMOS 5 —
Configuration Dual N-Channel MOSFET Array Half-Bridge (2 N-Channel)
Drain-Source Voltage (Vds) 100 V —
Continuous Drain Current (Id) at Tj 23 A —
Power Dissipation (Pd) at Tc 38 W —
پیکیج PG-TDSON-8-61 (SSO8) PG-TDSON-8-56 (TDSON-8, 5 mm x 6 mm)
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Automotive Qualified Yes (AEC-Q101, IAU prefix) —
Technology OptiMOS 5 Trench MOSFET —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55C to +175C (junction) —
پن کی تعداد 8 —
MSL لیول 1 1 (per JEDEC J-STD-020)
RoHS اسٹیٹس Compliant Compliant
Packing Tape & Reel (T&R) —
Part Series — OptiMOS 6
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TJ — 60 A
On-Resistance R_DS(on) at VGS=10V — 3.0 mOhm (typical)
Total Gate Charge (Qg) at VGS=10V — 35 nC
Output Capacitance (Coss) — 2.128 nF
Reverse Transfer Capacitance (Crss) — 596 pF
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) — 2 V
Maximum Power Dissipation (PD) at TC — 75 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55 C to +175 C
Automotive Qualification — AEC-Q101 (per part number suffix)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں