IDL04G65C5XUMA2 vs IGLT65R035D2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IDL04G65C5XUMA2 بواسطة Infineon و IGLT65R035D2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

Infineon
IDL04G65C5XUMA2 IDL04G65C5XUMA2 - 650V 4A SiC Schottky Diode | Infineon

IDL04G65C5XUMA2 - 650V 4A SiC Schottky Diode | Infineon

IDL04G65C5XUMA2 ✓ نشط

مقارنة المواصفات

المعامل IDL04G65C5XUMA2 IGLT65R035D2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة Diodes MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies Infineon Technologies
Product Family CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5 CoolGaN™ G5 TOLT
Diode Type Silicon Carbide (SiC) Schottky —
Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) 650 V —
Continuous Forward Current (I_F(AV)) 4 A —
Total Capacitive Charge (Q_C) 7 nC (typical) —
Forward Voltage (V_F) 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet) —
Reverse Leakage Current (I_R) 70 µA at 650 V —
Junction Capacitance (C_J) 130 pF at 1 V, 1 MHz —
Reverse Recovery Time (t_rr) 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage) —
درجة حرارة الوصلة التشغيلية -55°C to +175°C —
العلبة PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled)
نوع التركيب Surface Mount, Tape & Reel Surface Mount
عدد الأطراف 4 (with exposed thermal pad) —
RoHS / REACH RoHS Compliant (per Infineon product page) —
نوع الترانزستور — N-Channel enhancement-mode GaN HEMT
Drain-Source Voltage (Vdss) — 650 V
Continuous Drain Current (Id) at Tc — 47 A
Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc — 154 W
On-Resistance (Rds(on)) — [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm]
Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) — [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)]
Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V — 540 pF
نطاق درجة حرارة التشغيل — [DATA_NEEDED: Tj min/max]
Cooling Configuration — Top-side cooled (TOLT)
مستوى MSL — [DATA_NEEDED: MSL rating]
حالة RoHS — Compliant
Lead-Free — Yes
Production Wafer Size — 200 mm (8 inch)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر