IDL04G65C5XUMA2 vs IGLT65R035D2ATMA1 तुलना
विस्तृत दोनों ओर की तुलना IDL04G65C5XUMA2 द्वारा Infineon और IGLT65R035D2ATMA1 द्वारा Infineon. मुख्य विशेषताओं, इलेक्ट्रिकल पैरामीटर, पैकेजिंग, चक्र स्थिति, मूल्यांकन और उपलब्धता को तुलना करके अपनी डिजाइन की आवश्यकताओं के लिए सबसे अच्छा घटक निर्धारित करें。
विशेषता तुलना
| पैरामीटर | IDL04G65C5XUMA2 | IGLT65R035D2ATMA1 |
|---|---|---|
| ब्रांड | Infineon | Infineon |
| श्रेणी | Diodes | MOSFETs |
| लाइफसाइकिल स्थिति | सक्रिय | सक्रिय |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5 | CoolGaN™ G5 TOLT |
| Diode Type | Silicon Carbide (SiC) Schottky | — |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) | 650 V | — |
| Continuous Forward Current (I_F(AV)) | 4 A | — |
| Total Capacitive Charge (Q_C) | 7 nC (typical) | — |
| Forward Voltage (V_F) | 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet) | — |
| Reverse Leakage Current (I_R) | 70 µA at 650 V | — |
| Junction Capacitance (C_J) | 130 pF at 1 V, 1 MHz | — |
| Reverse Recovery Time (t_rr) | 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage) | — |
| ऑपरेटिंग जंक्शन तापमान | -55°C to +175°C | — |
| पैकेज | PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) |
| माउंटिंग प्रकार | Surface Mount, Tape & Reel | Surface Mount |
| पिन काउंट | 4 (with exposed thermal pad) | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (per Infineon product page) | — |
| ट्रांज़िस्टर प्रकार | — | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 47 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 154 W |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | — | 540 pF |
| ऑपरेटिंग तापमान रेंज | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Cooling Configuration | — | Top-side cooled (TOLT) |
| MSL स्तर | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS स्थिति | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Production Wafer Size | — | 200 mm (8 inch) |