IDL04G65C5XUMA2 vs IGLT65R035D2ATMA1 موازنہ
تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IDL04G65C5XUMA2 بذریعہ Infineon اور IGLT65R035D2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔
خصوصیات کا موازنہ
| پیرامیٹر | IDL04G65C5XUMA2 | IGLT65R035D2ATMA1 |
|---|---|---|
| برانڈ | Infineon | Infineon |
| زمرہ | Diodes | MOSFETs |
| لائف سائیکل کی حالت | فعال | فعال |
| Manufacturer | Infineon Technologies | Infineon Technologies |
| Product Family | CoolSiC™ Schottky Diode Generation 5 | CoolGaN™ G5 TOLT |
| Diode Type | Silicon Carbide (SiC) Schottky | — |
| Repetitive Peak Reverse Voltage (V_RRM) | 650 V | — |
| Continuous Forward Current (I_F(AV)) | 4 A | — |
| Total Capacitive Charge (Q_C) | 7 nC (typical) | — |
| Forward Voltage (V_F) | 1.7 V at 4 A (typical, per datasheet) | — |
| Reverse Leakage Current (I_R) | 70 µA at 650 V | — |
| Junction Capacitance (C_J) | 130 pF at 1 V, 1 MHz | — |
| Reverse Recovery Time (t_rr) | 0 ns (Schottky, no minority-carrier storage) | — |
| آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت | -55°C to +175°C | — |
| پیکیج | PG-VSON-4 (DPAK real2pin) Surface Mount | PG-HDSOP-16-8 (top-side cooled) |
| ماؤنٹنگ ٹائپ | Surface Mount, Tape & Reel | Surface Mount |
| پن کی تعداد | 4 (with exposed thermal pad) | — |
| RoHS / REACH | RoHS Compliant (per Infineon product page) | — |
| ٹرانزسٹر کی قسم | — | N-Channel enhancement-mode GaN HEMT |
| Drain-Source Voltage (Vdss) | — | 650 V |
| Continuous Drain Current (Id) at Tc | — | 47 A |
| Maximum Power Dissipation (Pd) at Tc | — | 154 W |
| On-Resistance (Rds(on)) | — | [DATA_NEEDED: typical Rds(on) in mohm] |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | — | [DATA_NEEDED: typical Vgs(th)] |
| Input Capacitance (Ciss) at Vds=400V | — | 540 pF |
| آپریٹنگ درجہ حرارت رینج | — | [DATA_NEEDED: Tj min/max] |
| Cooling Configuration | — | Top-side cooled (TOLT) |
| MSL لیول | — | [DATA_NEEDED: MSL rating] |
| RoHS اسٹیٹس | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Production Wafer Size | — | 200 mm (8 inch) |