IPB037N06N3GATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 مقارنة

مقارنة تفصيلية جنبًا إلى جنب لـ IPB037N06N3GATMA1 بواسطة Infineon و IPB100N04S4H2ATMA1 بواسطة Infineon. قارن المواصفات الرئيسية والمعلمات الكهربائية والتغليف وحالة دورة الحياة والأسعار والتوافر لتحديد أفضل مكوّن لمتطلبات تصميمك.

مقارنة المواصفات

المعامل IPB037N06N3GATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
العلامة التجارية Infineon Infineon
الفئة MOSFETs MOSFETs
حالة دورة الحياة نشط نشط
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) OptiMOS-T2 (trench gate)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
نطاق درجة حرارة التشغيل -55 C to +175 C (junction) —
العلبة / الحالة PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
نوع التركيب Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
حالة RoHS Compliant —
مستوى MSL 1 (unlimited) MSL1 (up to 260C peak reflow)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
درجة حرارة الوصلة التشغيلية — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
العلبة — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

أوراق البيانات والموارد

تصفح جميع المنتجات إنشاء BOM طلب عرض سعر