IPB037N06N3GATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 השוואה

השוואה מפורטת זה לצד זה של IPB037N06N3GATMA1 מאת Infineon ו IPB100N04S4H2ATMA1 מאת Infineon. השווה מפרטים עיקריים, פרמטרים חשמליים, אריזה, סטטוס מחזור חיים, תמחור וזמינות כדי לקבוע את הרכיב הטוב ביותר לדרישות העיצוב שלך.

השוואת מפרטים

פרמטר IPB037N06N3GATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
מותג Infineon Infineon
קטגוריה MOSFETs MOSFETs
סטטוס מחזור חיים פעיל פעיל
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) OptiMOS-T2 (trench gate)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
טווח טמפרטורת פעולה -55 C to +175 C (junction) —
מארז / Case PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
סוג הרכבה Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
סטטוס RoHS Compliant —
רמת MSL 1 (unlimited) MSL1 (up to 260C peak reflow)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
טמפרטורת צומת פעולה — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
מארז — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

Datasheets ומשאבים

עיין בכל המוצרים צור BOM בקשת הצעת מחיר