IPB037N06N3GATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 So sánh
So sánh chi tiết song song của IPB037N06N3GATMA1 bằng Infineon và IPB100N04S4H2ATMA1 bằng Infineon. So sánh các thông số quan trọng, thông số điện tử, gói gọn, trạng thái vòng đời, giá cả và khả năng cung cấp để xác định linh kiện tốt nhất cho yêu cầu thiết kế của bạn.
Infineon
IPB037N06N3GATMA1 - 60V 90A 3.7mOhm OptiMOS 3 N-MOSFET D2PAK | Infineon
IPB037N06N3GATMA1 ✓ Hoạt độngInfineon
IPB100N04S4H2ATMA1 - 40V 100A OptiMOS-T2 N-Channel MOSFET | Infineon
IPB100N04S4H2ATMA1 ✓ Hoạt độngSo sánh thông số kỹ thuật
| Tham số | IPB037N06N3GATMA1 | IPB100N04S4H2ATMA1 |
|---|---|---|
| Thương hiệu | Infineon | Infineon |
| Danh mục | MOSFETs | MOSFETs |
| Trạng thái vòng đời | Hoạt động | Hoạt động |
| Manufacturer | Infineon Technologies | — |
| Part Number | IPB037N06N3GATMA1 | — |
| Technology | OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) | OptiMOS-T2 (trench gate) |
| Polarity / Channel Type | N-Channel | — |
| Drain-Source Voltage (VDS) Max | 60 V | — |
| Continuous Drain Current (ID) at Tc | 90 A | — |
| Pulsed Drain Current (IDM) | [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] | [DATA_NEEDED: pulsed drain current] |
| On-Resistance RDS(on) Max | 3.7 mOhm at VGS=10V | — |
| Gate Threshold Voltage (VGS(th)) | 2.0 V to 3.5 V | [DATA_NEEDED: VGS(th) typical] |
| Total Power Dissipation (Pd) at Tc | 188 W | — |
| Khoảng nhiệt độ hoạt động | -55 C to +175 C (junction) | — |
| Hộp / Vỏ | PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) | — |
| Kiểu lắp đặt | Surface Mount | Surface Mount |
| Gate Charge (Qg) Typ | [DATA_NEEDED: gate charge value] | — |
| Trạng thái RoHS | Compliant | — |
| Cấp MSL | 1 (unlimited) | MSL1 (up to 260C peak reflow) |
| Drain Tab Connection | Tab electrically tied to drain | — |
| FET Type | — | N-Channel, Enhancement Mode |
| Drain-Source Voltage (VDS) | — | 40 V |
| Continuous Drain Current (ID) at TC=25C | — | 100 A |
| Gate-Source Voltage (VGS) | — | [DATA_NEEDED: max VGS rating] |
| RDS(on) at VGS=10V | — | 2.4 mΩ typical |
| Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C | — | 115 W |
| Nhiệt độ mối nối hoạt động | — | -55C to +175C |
| Storage Temperature | — | [DATA_NEEDED: storage temp range] |
| Hộp | — | PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount |
| Avalanche Energy (EAS) | — | 100% avalanche tested |
| Automotive Qualification | — | AEC-Q101 qualified |
| RoHS Compliance | — | Compliant (Green Product) |