IPB037N06N3GATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 مقایسه

مقایسه دقیق کنار به کنار IPB037N06N3GATMA1 توسط Infineon و IPB100N04S4H2ATMA1 توسط Infineon. مشخصات کلیدی، پارامترهای الکتریکی، بسته‌بندی، وضعیت چرخه عمر، قیمت‌گذاری و موجودی را مقایسه کنید تا بهترین قطعه را برای نیازهای طراحی خود تعیین کنید.

مقایسه مشخصات

پارامتر IPB037N06N3GATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
برند Infineon Infineon
دسته‌بندی MOSFETs MOSFETs
وضعیت چرخه عمر فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) OptiMOS-T2 (trench gate)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
محدوده دمای کاری -55 C to +175 C (junction) —
بسته‌بندی / کیس PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
نوع نصب Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
وضعیت RoHS Compliant —
سطح MSL 1 (unlimited) MSL1 (up to 260C peak reflow)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
دمای اتصال کاری — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
بسته‌بندی — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

دیتاشیت‌ها و منابع

مرور همه محصولات ایجاد BOM درخواست استعلام قیمت