IPB037N06N3GATMA1 vs IPB100N04S4H2ATMA1 موازنہ

تفصیلی ساتھ ساتھ موازنہ از IPB037N06N3GATMA1 بذریعہ Infineon اور IPB100N04S4H2ATMA1 بذریعہ Infineon. اہم خصوصیات، برقی پیرامیٹرز، پیکیجنگ، لائف سائیکل اسٹیٹس، قیمتوں اور دستیابی کا موازنہ کریں تاکہ آپ کی ڈیزائن ضروریات کے لیے بہترین کمپوننٹ کا تعین ہو سکے۔

خصوصیات کا موازنہ

پیرامیٹر IPB037N06N3GATMA1 IPB100N04S4H2ATMA1
برانڈ Infineon Infineon
زمرہ MOSFETs MOSFETs
لائف سائیکل کی حالت فعال فعال
Manufacturer Infineon Technologies —
Part Number IPB037N06N3GATMA1 —
Technology OptiMOS 3 (N-channel, enhancement mode) OptiMOS-T2 (trench gate)
Polarity / Channel Type N-Channel —
Drain-Source Voltage (VDS) Max 60 V —
Continuous Drain Current (ID) at Tc 90 A —
Pulsed Drain Current (IDM) [DATA_NEEDED: pulsed drain current value] [DATA_NEEDED: pulsed drain current]
On-Resistance RDS(on) Max 3.7 mOhm at VGS=10V —
Gate Threshold Voltage (VGS(th)) 2.0 V to 3.5 V [DATA_NEEDED: VGS(th) typical]
Total Power Dissipation (Pd) at Tc 188 W —
آپریٹنگ درجہ حرارت رینج -55 C to +175 C (junction) —
پیکیج / کیس PG-TO263-3 (D2PAK, surface mount) —
ماؤنٹنگ ٹائپ Surface Mount Surface Mount
Gate Charge (Qg) Typ [DATA_NEEDED: gate charge value] —
RoHS اسٹیٹس Compliant —
MSL لیول 1 (unlimited) MSL1 (up to 260C peak reflow)
Drain Tab Connection Tab electrically tied to drain —
FET Type — N-Channel, Enhancement Mode
Drain-Source Voltage (VDS) — 40 V
Continuous Drain Current (ID) at TC=25C — 100 A
Gate-Source Voltage (VGS) — [DATA_NEEDED: max VGS rating]
RDS(on) at VGS=10V — 2.4 mΩ typical
Maximum Power Dissition (PD) at TC=25C — 115 W
آپریٹنگ جنکشن درجہ حرارت — -55C to +175C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temp range]
پیکیج — PG-TO263-3-2 (D2PAK-2) Surface Mount
Avalanche Energy (EAS) — 100% avalanche tested
Automotive Qualification — AEC-Q101 qualified
RoHS Compliance — Compliant (Green Product)

Datasheets اور وسائل

تمام مصنوعات براؤز کریں BOM بنائیں قیمت کی درخواست کریں